Aislante	Elemento que presentan alta oposcición al flujo de electrones.
Electrones y huecos	Se les conoce como portadores de carga
Instrinseco	Semiconductores perfectos, sin impurezas ni defectos.
Dopamiento	Se le llama al proceso por el medio del cual se añaden impurezas a un semiconductor de manera controlada
Par electron-hueco	Se forma cuando un electron hace una transicion directa de la banda de valencia a la banda de conducción
Tipo P y N	Cuales son los dos tipos de materiales extrinsecos?
Recombinación	Proceso que ocurre cunado un electron en la banda de conduccion efectua una transicion, directa o indirecta, a un estado permitido libre en la banda de valencia.
Falso	Los huecos tienen masa efectiva? Cierto o Falso.
1950	Año en que Gordon Teal desarrolla el primer transistor bipolar de unión.
Cristalino	Se le dice a un sólido cuando tiene sus átomos en un arreglo uniforme y periódico.
Diamante	Cuando dos átomos de la base son idénticos, la estructura se denomina de diamante
Banda de Conducción	Banda de energía en semiconductores que se encuentra vacía a 0°K
Postulados de Bohr	-El electrón de un átomo se mueve alrededor del núcleo en una órbita circular. -Cuando un electrón se encuentra en una órbita no irradia energía. -El electrón puede cambiar de un estado de energía permitido a otro, absorviendo o emitiendo energía radiante.
Numeros Cuánticos	N,1,M,S. -El numero principal, N. -El segundo, 1. -El Numero cuántico magnetico, M. -Spin, S
Aumenta, ya que es proporcional	En un material intrínseco, la concentracón de portadores, aumenta o disminuye la temperatura?.
Movilidad	Parametro que describe la facilidad con la que se mueven los portadores de carga en un material semiconductor.
Compensación espacial	Cuando se dopa con materiales tipos p y n a la vez.
Compensación	Proceso que se representa en un semiconductor dopado con átomos donadores y aceptadores, que consiste en la recombinacion de ambos tipos de portadores.
Region de carga espacial	Nombre que se le da a la zona donde la unión p-n donde aparece un campo eléctrico.
Nivel de fermi	Nivel energetico en el que la probabilidad de que este ocupado por un electron es del 50%
Fotoconductividad	Propiedad de ciertos materiales de reducir su resistividad al ser expuestos a la luz.
Difusión	Proceso de conducción de corriente debido a que la concentración de portadores varía con la posicion de una muestra.
Longitud de difusión	Indica la distancia promedio que se difunde un portador antes de recombinarse.
Dispersión por impurezas	Mecanismo de dispersión que genera un incremento en la movilidad de los portadores con un incremento de temperatura.
Se incrementa	En un material intríseco, ¿Que pasa con la concentracion de portadores al incrementare la temperatura?.
Fluoresencia	Propiedad de un material en el que la emisión de fotones se detiene fracciones de segundo después de quitada la fuente de excitación.
Concetracion de portadores	Que parametro se calcula con bastante precisión, a partir de la medicion de corrientes y voltajes del efecto Hall.
Cierto	CoF, En los materiales intrínsecos, el nivel de Fermi se encuntra a la midad de su banda prohibida
Falso	Segun la funcion de Fermi-Dirac, el numero de electrones por unidad de volumen en un rango de energía dE es la suma de la densidad de estados N(E) y probalidad de que los ocupen los f(E)
Falso	Un semiconductor tiene un voltaje de Hall positivo, entonces es tipo n.
Falso	A mayor dopamiento en un material semiconductor la movilidad se incrementa.
Falso	En un material tipo n el nivel de Fermi se mueve hacia la banda de valencia
Cierto	En un material tipo n los portadores minoritarios son los huecos.
Cierto	La mayoria de los hoyos ocupan estados de energía cerca del borde inferior de la banda de valencia.
Falso	Los portadores de carga en un solido están en constante movimiento, aunque no vaie su temperatura
Cierto	Los electrones se mueven en el mismo sentido, pero en dirección opuesta al campo eléctrico.
Electrones	Portadores mayoritarios en una material tipo N
Banda donadora	Banda intermedia o estado intermedio de energía donde se encuentran los electrones libres de los átomos de valencia 5
Banda de Prohibida	Es la brecha entre la banda de conducción y de valencia, donde no existen electrones.
Energia de valencia	Esta es la energía que se necesita para que un electrón pase de la banda de valencia a la banda de conducción.
Aluminio, Boro y Galio	Material semiconductor tipo P que se forma con impurezas del grupo IIIA
Fosforo, Antimonio y Arsenico	Material tipo N que se forma con impurezas del grupo VA
Enlace covalente	Tipo de enlace en sólidos en el que cada enlace está formado por un par de electrones. Es el enlace que se presenta en los semiconductores
Red Blenda Zinc	Si los dos átomos son diferentes la estructura se conoce como estructura blenda de zinc.
El principio de exclusión de Pauli	dice que dos electrones en un sistema de interacción dado, no pueden tener el mismo estado cuántico.
Enlace iónico	Se da generalmente en los metales alcalinos, los cuales se unen por la atracción de sus iones de los elementos que los forman.
Enlace metálico	Es el generado por la unión de átomos de metales los cuales no tienen mas de tres electrones en su última órbita
Enlace covalente:	Es el tipo de enlace donde caen los semiconductores en red diamante.
Banda aceptadora	Banda de energía que se forma en un semiconductor dopado con átomos de valencia 3 para tipo p y 5 para tipo n

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